AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片定制
更新時間:2026-01-19 點擊次數:10
高性能、低成本離線式PWM控制開關KP3501A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關,適用于降壓型電路。KP3501A采用高壓單晶圓工藝,在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內可以保證高精度的5V默認輸出。在芯片內部,芯片內部**小Toff時間固定為20μs且帶有抖頻功能,在保證輸出功率的條件下優化了EMI效果。同時,芯片設計有輕重載模式,可輕松獲得低于50mW的待機功耗。KP3501A集成有完備的保護功能:VDD欠壓保護、逐周期電流限制、異常過流保護、過熱保護、過載保護和短路保護等。主要特點?高精度5V默認輸出?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續流二極管?集成采樣電阻,**系統成本?支持**壓輸入(15V以上)應用?支持降壓電路?開關式峰值電流模式控制?**待機功耗小于50Mw?比較高45kHz開關頻率?**工作電流,支持小VDD電容?集成軟啟動電路?集成式保護功能:?過載保護(OLP)?過熱保護(OTP)?逐周期電流限制(OCP)?異常過流保護(AOCP)?前沿消隱(LEB)?VDD欠壓保護?封裝類型SOP-4AC交流輸入,輸出12V/500mA電流的低成本BUCK降壓芯片。AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片定制
在輕載工作條件下自動進入脈沖頻率調制模式(PFM),以保持輕載高效率。當負載電流逐漸減小時,電感電流紋波的波谷逐漸下降,直至電感電流波谷為0A,此時即為電感電流連續導通模式和不連續導通模式的臨界——電感電流臨界導通模式。繼續降低負載電流,當檢測到電感電流過零時,將會關閉低側MOSFET (LSF),從而電感電流保持為零。在這種情況下,輸出電容只被負載電流放電,輸出電壓下降速度變慢,從而開關頻率將會降低。由于開關頻率的降低,輕載時的開關損耗也將降低,從而提高了系統的輕載效率。中國臺灣交流高壓220V轉5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片庫存;當工作 于空載附近時,系統將重新進入調頻模式以降低待 機損耗。
BUCK降壓芯片,小封裝輸出5V100mA,低功耗、高效率、線路簡單,在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統元器件造成損壞,芯片內部設計有異常過流檢測模塊(AOCP,典型閾值為250mA)。當CS電壓高于該閾值時,內部功率MOSFET即刻關斷并保持關斷狀態持續2個周期。芯片內部集成的過熱保護電路會檢測芯片的芯片結溫,當芯片結溫超過155度(典型值)時系統進入到自動重啟模式。
同步降壓變換器的輸出級主要由電感和電容組成,通過內部集成的功率MOSFET管的開關切換,將能量存儲并傳遞給負載,并形成二階低通濾波器平滑開關節點電壓,得到穩定的輸出直流電壓。本節基于設計實例主要描述詳細的設計過程。芯片可以通過使用外部分壓電阻連接到FB引腳來設置不同的輸出電壓。輸出電壓與外部分壓電阻的公式如下:????????+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推薦從分壓下電阻RFB(B)開始設計。過大的RFB(B)會導致FB引腳更容易收到外界噪聲干擾,而過小的RFB(B)會增大分壓電阻的功率損耗。綜合考慮二者,推薦選擇RFB(B)=10kΩ~50kΩ。則分壓上電阻RFB(T)可由如下公式計算得到:?????????×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V在實際 工作中,系統開關頻率取決于負載狀態以及VDD 電壓與輸出電壓基準的高低,所以系統工作在調頻 模式中。
VIN 欠壓鎖定功能(UVLO) 禁止芯片在輸入供電電壓過低時工作。UVLO 比較器監測內部穩壓電源VCC 的輸出電壓大小。當VIN 下降到VUVLO(F) 以下時,芯片停止開關工作,禁止使能。當VIN 上升到VUVLO(R) 以上時,如果此時VEN 也大于VEN(R),則芯片使能,開始軟啟動恢復正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降閾值為固定值,且典型遲滯電壓為400mV。如果實際應用中需要設置更高的閾值和遲滯電壓,芯片支持在EN 引腳外接分壓電阻實現VIN UVLO 上升閾值和VIN UVLO 下降閾值自定義設置,從而避免芯片在開關機時刻由于VIN 的尖峰噪聲和紋波導致芯片反復重啟。逐周期峰值電流限制和前沿消隱。AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片定制
內部無固 定時鐘驅動 MOSFET,系統開關頻率隨負載變化 可實現自動調節。AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片定制
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